第十六章 半导体器件和集成电路的形成

1、半导体器件的生成：电阻器、电容器、二极管、晶体管、熔断器、导体；
2、电阻器：掺杂型电阻器、EPI电阻器、Pinch电阻器、薄膜电阻器；
3、电容器：氧化硅电容器、结电容器、沟槽电容器、堆叠电容器（stacked capacitor）；
4、二极管：掺杂二极管（击穿电压breakdown）、Schottky barrier二极管（欧姆接触）；
5、晶体管：双极型晶体管（transfer resistor）、Schottky barrier双极型晶体管；
6、场效应晶体管（FET）：金属栅型MOS场效应晶体管、硅栅极型MOS、多晶硅栅型MOS、硅化物栅极型MOS、V凹槽型MOS（VMOS）、扩散型MOS（DMOS）、存储器MOS（MMOS）、结型场效应晶体管（JFET）、金属半导体场效应晶体管（MESFET）；
7、熔断器和导体：（underpass conductor 地下导体）；
8、集成电路的形成：
a.双极型电路的形成：掺杂/结隔离（doped/junction isolation）、介电质隔离、局部氧化隔离工艺（LOCOS）、集电极接触；
b.MOS集成电路的形成：MOS局部氧化隔离（隧道停止 channel stop、鸟嘴 bird’s break）、沟道隔离（shallow trench isolation）、CMOS互补型MOS（闩锁效应latch up）、
c. 其他类集成电路的形成：Bi-MOS、硅片绝缘体隔离（SOI）
9、超导体：超导就是当一种特定的材料温度降到绝对零度（-273度）时发生的现象、Josephson结效应（隧道效应）；
10、微电子机械系统：应变仪、电池、发光二极管（Light-emitting diodes LED）、光电子学、太阳能电池、温度感应器、声波器件、微机械系统、平板显示器(FPD)、场发射器件(FED)、工艺流程。