前言及序言（点击链接查看之）——————————–1
第1章    半导体工业————————————–2—3
第2章    半导体材料和工艺化学品————————–4—5
第3章    晶圆制备——————————————-6
第4章    芯片制造概述————————————7—8
第5章    污染控制—————————————9—10
第6章    工艺良品率————————————11—12
第7章    氧化——————————————13—14
第8章    基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光————15—17
第9章    基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验————18—20
第10章    高级光刻工艺———————————21—23
第11章    掺杂—————————————–24—26
第12章    淀积—————————————–27—29
第13章    金属淀积————————————-30—31
第14章    工艺和器件评估——————————-32—33
第15章    晶圆加工中的商务因素————————-34—35
第16章    半导体器件和集成电路的形成———————–36
第17章    集成电路的类型——————————-37—38
第18章    封装—————————————–39—41
个人感慨—————————————————41
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第四章 芯片制造概述

1、芯片制造的四个阶段：原料制作－单晶生长－晶圆制造、集成电路晶圆的生产(wafer fabrication)－集成电路的封装；

2、晶圆术语：

器件或叫芯片－Chip、die、device、circuit、microchip、bar

街区或锯切线－Scribe lines、saw lines、streets、avenues

工程试验芯片－Engineering die、test die

边缘芯片－Edge die

晶圆的晶面－Wafer Crystal Plane

晶圆切面/凹槽－Wafer flats/notche

3、晶圆生产的基础工艺：增层－光刻－掺杂－热处理

4、电路设计：功能电路图（逻辑功能图）－示意图－电路版面设计（复合图composite）

5、光刻母版（reticle）和掩膜版：光刻母版是在玻璃或石英板的镀薄膜铬层上生成分层设计电路图的复制图。

6、晶圆测试：又称芯片测试（die sort）或晶圆电测（electrical sort）

第三章 晶圆制备
1、晶圆制备阶段：矿石到高纯气体（四氯化硅或者三氯硅烷）的转变－气体到多晶的转变－多晶（polysilicon）到单晶、掺杂晶棒的转变－晶棒到晶圆的制备；

2、原子在整个材料里重复排列成非常固定的结构，这种材料称为晶体（crystal）；原子没有固定的周期性排列的材料称为非晶体或者无定形（amorphous）；

3、晶体里的原子排列为晶胞（unit cell）结构－晶体结构的第一个级别；晶格（lattice）；

硅晶胞具有16个原子排列成金刚石结构，砷化镓晶体具有18个原子的晶胞结构称为闪锌矿结构；

4、当晶胞间整洁而有规则地排列时，第二个级别地结构发生了，这样排列的材料具有单晶结构。单晶材料比多晶材料具有更一致和更可预测的特性，单晶结构允许在半导体里一致和可预测的电子流动；

5、晶向（crystal orientation），晶面通过一系列称为密勒指数的三个数字组合来表示，<100>晶向的晶圆用来制造MOS器件和电路，而<111>晶向的晶圆用来制造双极型器件和电路。 全文 »