前言及序言（点击链接查看之）——————————–1
第1章    半导体工业————————————–2—3
第2章    半导体材料和工艺化学品————————–4—5
第3章    晶圆制备——————————————-6
第4章    芯片制造概述————————————7—8
第5章    污染控制—————————————9—10
第6章    工艺良品率————————————11—12
第7章    氧化——————————————13—14
第8章    基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光————15—17
第9章    基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验————18—20
第10章    高级光刻工艺———————————21—23
第11章    掺杂—————————————–24—26
第12章    淀积—————————————–27—29
第13章    金属淀积————————————-30—31
第14章    工艺和器件评估——————————-32—33
第15章    晶圆加工中的商务因素————————-34—35
第16章    半导体器件和集成电路的形成———————–36
第17章    集成电路的类型——————————-37—38
第18章    封装—————————————–39—41
个人感慨—————————————————41
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1、半导体器件的生成：电阻器、电容器、二极管、晶体管、熔断器、导体；
2、电阻器：掺杂型电阻器、EPI电阻器、Pinch电阻器、薄膜电阻器；
3、电容器：氧化硅电容器、结电容器、沟槽电容器、堆叠电容器（stacked capacitor）；
4、二极管：掺杂二极管（击穿电压breakdown）、Schottky barrier二极管（欧姆接触）；
5、晶体管：双极型晶体管（transfer resistor）、Schottky barrier双极型晶体管；
6、场效应晶体管（FET）：金属栅型MOS场效应晶体管、硅栅极型MOS、多晶硅栅型MOS、硅化物栅极型MOS、V凹槽型MOS（VMOS）、扩散型MOS（DMOS）、存储器MOS（MMOS）、结型场效应晶体管（JFET）、金属半导体场效应晶体管（MESFET）；
7、熔断器和导体：（underpass conductor 地下导体）； 全文 »

第五章 污染控制

1、半导体器件极易受到多种污染物的损害：微粒、金属离子、化学物质、细菌；

微粒：1cm=10000um, 人的头发直径约为100um，微粒的大小要小于器件上最小特征图形尺寸的1/10 倍；（1994年SIA将0.18um设计的光刻操作的缺陷密度定为0.06um下的135个）

金属离子：可移动离子污染物（MIC），Na是最常见之一；化学品：以氯为代表；

2、污染引起的问题：器件工艺良品率、器件性能、器件可靠性；

3、污染源：空气、厂务设备、洁净室工作人员、工艺使用水、工艺化学溶液、工艺化学气体、静电；

4、空气

a.空气洁净等级标准209E：区域中空气级别数是指在一立方英尺（0.0283立方米）中所含直径为0.5微米或更大的颗粒总数。一般城市空气为500万级； 全文 »

第二章 半导体材料和工艺化学品

1、原子结构：电子 质子 中子 空穴（未填充电子的位置）

任何原子中都有数量相等的质子和电子；任何元素都包括特定数目的质子，没有任何两种元素有相同数目的质子；有相同最外层电子数的元素有着相似的性质；最外层被填满或者拥有8个电子的元素是稳定的；原子会试图与其他原子结合而形成稳定的条件。

2、导电率 C＝1/ρ    ρ为电阻率，单位为欧姆·厘米  Ω·cm

3、电容：把一层绝缘材料夹在两个导体之间就形成的一种电子元件，电容的实际效应就是储存电荷  C＝kEA/t   C-电容 k-材料的绝缘常数 E-自由空间的介电常数（自由空间有最高的电容）  A-电容的面积 t-绝缘材料的厚度。

4、电阻 R＝ρL/WD  ρ为材料电阻率 L为长度  W为宽度  D为高度

5、导体半导体相关特性：材料的电分类和掺杂半导体的性质  空穴流（hole flow）

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第一章《半导体工业》
1、电子数字集成器和计算器（ENIAC） 18000个真空三极管，70000个电阻，10000个电容，6000个开关，耗电150000W，成本约400000美元 重30吨，占地140平方米 宾夕法尼亚的摩尔工程学院于1947年进行公开演示；

2、晶体管（transistor）－传输电阻器。 John Bardeen, Walter Brattin, William Shockley共同荣获1956年诺贝尔物理奖；

3、每个芯片中只含有一个器件的器件称为分立器件（晶体管、二极管、电容器、电阻器）

4、集成电路（integrated circuit） 平面技术（planar technology） Kilby&Noyce共同享有集成电路的专利；

5、集成电路中器件的尺寸（特征图形尺寸－微米）和数量时IC发展的两个共同标志。集成度水平（integration level）的范围：

小规模集成电路      SSI        2－50（单位芯片内的器件数）  芯片边长约为100mils

中规模集成电路      MSI       50－5000（单位芯片内的器件数）

大规模集成电路      LSI        5000－100000（单位芯片内的器件数）

特大规模集成电路    VLSI       100000－1000000（单位芯片内的器件数）

超大规模集成电路    ULSI     >1000000（单位芯片内的器件数）芯片每边长约为500mils

储存器电路由其存储比特的数量来衡量；

逻辑电路的规模经常用栅极的数量来评价； 全文 »