1、二氧化硅层的用途：
a.表面钝化：保护器件的表面及内部、禁锢污染物在二氧化硅膜中；
b.掺杂阻挡层：掺杂物在二氧化硅的运行速度低于硅中的运行速度、二氧化硅的膨胀系数与硅接近；
c.表面绝缘体：氧化层必须足够厚，以免产生感应现象，称为场氧化物；
d.器件绝缘体：热生成的氧化层可以用来做硅表面和导电表面之间形成的电容所需的介电质；
e.器件氧化物的厚度与用途：
60—100埃       隧道栅极
150—500埃      栅极氧化、电容绝缘层
200—500埃      LOCOS氧化
2000—5000埃    掩膜氧化、表面钝化
3000—10000埃   场氧化
2、热氧化机制：阶梯式升温方法，900-1000℃之间
a.生长氧化层会经历两个阶段：线性阶段（<1000埃）和抛物线阶段;
受限反应（transport limited reaction）、受限扩散反应（diffusion limited reaction）；
b.一个加速氧化方法是用水蒸气（H2O）来代替氧气做氧化剂，氢氧基离子扩散穿过晶圆上的氧化层的能力比氧气快；
蒸气氧化（steam oxidation）、湿氧化（wet oxidation）、高温蒸气氧化（pyrogenic steam）； 全文 »