周末在家研读了namics公司的又一篇关于underfill的文章《Under-fill Technology Roadmap for SIP Fine-pitch Flip Chip》，其实整篇文章后面有一般也探讨了ACP NCP等异向导电材料和非导电材料等在IC封装中的一些应用，就文中内容整理如下：
1、作为Core technology of underfill for SIP涉及到以下几点：
Fine pitch & Narrow gap(Fine filler distribution)
No void(Dispersion Technology)
Narrow space dispensing (Jet Dispensing)
Stack, thin die, High density PKG(Minimized Bleeding and Creeping)

2、其中的一个基本结论是选择0.1-0.3um直径的填料是最能适应各类间隙（gap）元件的底部填充工艺的；如果填料产生团聚等现象会导致 全文 »

这又是一份namics公司撰写的关于底部填充过程中空洞（气泡）产生的原因及避免的方法的，其中是以其U8439-1型号为例进行分析的。关于空洞(气泡)产生的原因可以总结为两大类，一类是叫Capture void，一类是叫Volatile void。用中文理解就是一类是捕获空洞（气泡）？一类是挥发产生的空洞（气泡）。前面这个Capture void表达可能不够确切，但一时也想不起更好的表达方法。
关于Capture void的产生主要是因为点胶Filleting speed速度大于其在芯片底部的填充速度penetration speed，导致空气无法排出，结果导致空洞的形成，如图所示：

解决的方法就是让The Filleting speed = The penetration speed，采取的措施就是： 全文 »