前日在学习Underfill Roadmap—By Namics资料时碰到一个Low-K的概念，不甚了解，后来在网上查实了一下，就转了这篇文章过来了：

Low-K技术最初由IBM开发，当时的产业大背景是——随着电路板蚀刻精度越来越高，芯片上集成的电路越来越多，信号干扰也就越来越强，所以IBM致力于开发、发展一种新的多晶硅材料。IBM声称，Low-K材料帮助解决了芯片中的信号干扰问题。而Intel的目的是使用低介电常数的材料来制作处理器导线间的绝缘体。这种材料可以很好地降低线路间的串扰，从而降低处理器的功耗，提高处理器的高频稳定性。在Intel的产品开发中Northwood应该就已经受福于Low-K技术了。不过，现在的Low-K技术已经不是Northwood时代的Low-K技术了，记得我以前在一个帖子就曾经强调过，硬件发展在三大技术——晶圆切割技术、电路板蚀刻技术和晶体管的纳米级别的集成技术，这三大技术的快速发展而带来空前活力的同时，我们应该可以预见到越来越高的频率、越来越大的功耗和越来越夸张的发热。所以，我觉得Low-K技术将人们的关注重点再一次转移到了材料科学上，而这才是真正针对处理器高频率低稳定高热量这个当前最大难题的治本的办法，尽管事实上，当前的Low-K技术还不足以解决这些问题。 全文 »