1、ULSI/VLSI集成电路图形处理过程中存在的问题：
光学曝光设备的物理局限、光刻胶分辨率的限制、许多与晶片表面有关的问题；
使用光学光刻技术解析0.5微米和0.3微米的图形需要对虚像（aerial images）有很好的控制，控制方法主要从三个方面入手：光学系统分辨率、光刻胶分辨率和晶片表面问题，第四个方面是刻蚀图形定义问题；
2、光学系统分辨率控制：（光刻分辨率工艺路线图）
I线→I线+ARI→I线+OAI/深紫外光/深紫外光+OAI或PSM→I线+ OAI或PSM/深紫外光+ARI或OAI→I线+PSM/深紫外光+OAI或PSM→深紫外光+PSM（最小分辨率减小，ARI环形灯光源、OAI偏轴光源、PSM相位偏移掩膜）
a.改进的曝光源：紫外光UV和深紫外光DUV，汞灯（I线365nm  H线405nm  G线436nm 中紫外线313nm、深紫外线245nm）；
b.受激准分子激光器：XeF 351nm  XeCl 308nm  RF 248nm  AF 193nm；
c.聚焦离子束：系统稳定性非常差；
d.X射线：需要特制掩膜版（金做阻挡层）、成本非常高；
e.电子束：电子束光刻是一门成熟的技术，无需掩膜版，直接书写（direct writing），光刻胶曝光顺序分为光栅式和矢量式；成本也比较高 全文 »

1、显影：通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影，显影技术被设计成使之把完全一样的掩膜版图案复制到光刻胶上。
a.负光刻胶显影：二甲苯或stoddart溶剂显影，n-丁基醋酸盐冲洗；
b.正光刻胶显影：碱（氢氧化钠或氢氧化钾）+水溶液、或叠氮化四甲基铵氢氧化物的溶液（TMAH）;
c.湿法显影：
沉浸-增加附属方法提高显影工艺，机械搅动、超声波或磁声波等；
喷射-对负胶而言是标准工艺，对温度敏感的正胶却不是很有效，隔热冷却（adiabatic cooling）；
混凝-是用以获得正胶喷射显影工艺优点的一种工艺变化；
等离子去除浮渣-不完全显影造成的一个特俗困难叫做浮渣（scumming），用氧等离子去除；
d.干法（或等离子）显影：干法光刻胶显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的部分二者之一易于被氧等离子体去除，换言之图案的部分从晶圆表面上氧化掉，一种DESIRE的干法显影工艺会使用甲基硅烷和氧等离子体
2、硬烘焙：与软烘焙一样通过溶液的蒸发来固化光刻胶，常见工艺流程如下:
显影—检验—硬烘焙—刻蚀；显影/烘焙—检验—刻蚀；显影/烘焙—检验—重新烘焙—刻蚀；
硬烘焙温度的上限是以光刻胶流动点而定，高温烘焙会产生边缘线等不良现象； 全文 »

1、光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域的基本操作（Photolithography、Photo masking、Masking、Oxide、Metal Removal-OR,MR、Microlithography）
分辨率-resolution 特征图形尺寸-feature size 图像尺寸-image size 定位图形-Alignment or Registration 聚合-polymerization 抗刻蚀的-etch resistant or Resist or Photoresist 亮场掩膜版-clear field mask 光溶解-photosolubilization；
负胶+亮场或正胶+暗场形成空穴； 负胶+暗场或正胶+亮场形成凸起；
2、光刻十步法：
表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去除—最终目检；
3、基本的光刻胶化学物理属性：
a、组成：聚合物+溶剂+感光剂+添加剂
普通应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应，它们称为光学光刻胶（optical resist），还有其它光刻胶可以与X射线或者电子束反应；
负胶：聚合物曝光后会由非聚合态变为聚合状态，形成一种互相粘结的物质，是抗刻蚀的，大多数负胶里面的聚合物是聚异戊二烯类型的，早期是基于橡胶型的聚合物； 全文 »