1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋转的荷负电的电子组成（Neils Bohr于1913年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键；
2、真空管（电子管）：
a.真空管问世于1883年Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903年英格兰的J.A.Fleming发现了真空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极；
b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906年美国发明家Lee DeForest在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能；
c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使用中退出；
3、半导体理论：
a.在IC芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）；
b.二极管（一个p-n结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止；
c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的p-n结组合成一个器件，导致了晶体管的出现，晶体管是一种能够放大信号或每秒开关电流几十亿次的器件。最初的器件使用点接触穿入鍺半导体本体，随后的晶体管使用鍺作为半导体的结（双极）型晶体管，鍺这种半导体材料后来被硅所代替；（基极B  发射极E  集电极C） 全文 »

前言及序言（点击链接查看之）——————————–1
第1章    半导体工业————————————–2—3
第2章    半导体材料和工艺化学品————————–4—5
第3章    晶圆制备——————————————-6
第4章    芯片制造概述————————————7—8
第5章    污染控制—————————————9—10
第6章    工艺良品率————————————11—12
第7章    氧化——————————————13—14
第8章    基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光————15—17
第9章    基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验————18—20
第10章    高级光刻工艺———————————21—23
第11章    掺杂—————————————–24—26
第12章    淀积—————————————–27—29
第13章    金属淀积————————————-30—31
第14章    工艺和器件评估——————————-32—33
第15章    晶圆加工中的商务因素————————-34—35
第16章    半导体器件和集成电路的形成———————–36
第17章    集成电路的类型——————————-37—38
第18章    封装—————————————–39—41
个人感慨—————————————————41
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1、大多数电路按其特定的设计原理和功能可以分成三种基本类型：逻辑电路、存储电路和微处理器（逻辑与存储），电路的多样性主要来自于大量特殊用途参数的转变；
2、电路基础：在电路中，数字由二进制码来编码、存储和操作，这都是因为电容可以通过充电得到一个电荷或没有电荷，晶体管也可以开或关，电路中记录信息的最小单位称为“二进制数”或“位”，8位称为一个字节；
3、集成电路的类型：
a.逻辑电路：
■模拟-数字逻辑电路
■模拟逻辑电路
RTL  电阻器-晶体管逻辑
DTL  二极管-晶体管逻辑
TTL  晶体管-晶体管逻辑
ECL  发射极-耦合电路
DCTL 直接-耦合晶体管逻辑
I2L  集成注入晶体管逻辑
■定制-半定制逻辑
全定制
标准电路-定制门形式
标准电路-选择连线门阵列
可编程的阵列逻辑（PAL） 全文 »

《芯片制造工艺制程实用教程》看得也差不多了，正好在今天的邮件中收到了《半导体科技》杂志社的2008集成电路制造工艺流程图，几乎囊括了书中所有的工艺流程，并且将各个配套的设备材料供应商也列举上去了。另外还有关于我国IC封测商及工艺的一些整理结果，点击下面的文字和图片链接就可以看到相应详细内容了！