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【扒一扒】日本高纯球形硅微粉材料生产商
—— anndi

《【扒一扒】日本高纯球形硅微粉材料生产商》:  作为一种无机非金属矿物功能性粉体材料,硅微粉广泛应用于电子材料、电工绝缘材料、胶黏剂、特种陶瓷、精密铸造、油漆涂料、油墨、硅橡胶等领域。 目前,世界上只有中国、日本、韩国、美国等少数国家具备硅微粉生产能力... 全文 ?

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第十一章 超高密度封装的应用和发展

1、便携电子设备中的封装技术:
a.移动电话(手机)中采用的封装技术;
b.数码摄像照相机中封装技术;
c.笔记本电脑中的封装技术;
d.便携电子设备中封装的技术课题:
■减小PWB母板的面积并降低价格;
■减小高频电路及模拟电路部分的面积;
■采用系统封装;
■采用三维封装形式进一步提高封装密度;
2、超级计算机中的封装技术:
a.超级计算机中封装技术概况:超级计算机性能的提高得益于LSI的高速、高集成化,同时要求LSI封装基板具有高的引线密度、低的介电损耗、高的散热能力等;
b.回路基板及实装技术:陶瓷回路基板替代树脂印制线路板、层间导体埋孔、计算机主机用陶瓷回路基板;
c.超级计算机封装的共同特征及发展前景:各家超级计算机封装的共同特征汇总如下:
■芯片搭载在陶瓷微载体内:
在载体实装到布线板上之前,能对半导体元件进行单个测试和老化筛选;
芯片搭载在陶瓷微载体内,采用倒装片或芯片电极面朝下的TAB微互联方式;
芯片发热采用间接方式冷却,即通过陶瓷微载体上面的导热柱,再循环水散热;
陶瓷微载体实装到布线板上采用焊料凸点或butt-PGA方式钎焊连接,可拆卸返修重装;
■基础布线板为玻璃陶瓷多层共烧板: 全文 »
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第十章 电子封装的分析、评价及设计

1、膜检测及评价技术:
a.膜检测及评价的必要性:MCM封装离不开多层板,而多层板表面的金属化层极为关键,这种金属化层无论是用于表面导体图形,还是作为电极,除了要与特定的实装形态及封装部件相匹配之外,还要实现大量的连接与键合,而且应满足工程、设备长期可靠性等诸多方面的严格要求;
b.膜的互扩散:
■膜的互扩散及扩散系数;
■膜层互扩散反应的激活能;
c.膜的内应力:
■膜层中内应力的产生机制:与基板材料比当膜材料CTE较大时产生受拉应力,较小时产生受压应力;
■膜层中的内应力:在蒸镀膜及电镀膜中存在内应力,如果其总应力大于基体绝缘层的抗弯强度,则绝缘层中可能产生裂纹,甚至使电路图形剥离;
2、信号传输特性的分析技术:
a.布线电气特性分析基础:目前人们正在开发各种类型的超高速半导体集成电路元件,其中包括约瑟夫森器件,采用GaAs的HEMT(high electron mobility transistor:高电子迁移率三极管)和MESFET(metal semiconductor field effect transistor:金属-半导体场效应三极管)、采用Si的ECL(emitter couple logic:发射极耦合逻辑)器件等,与此相关,需要研究高频信号的传输特性,以GaAs超高速器件处理的信号为例,人们正对高速脉冲的传输特性、布线间的交叉噪声特性、减少交叉噪声的措施等进行广泛的研究,此外CMOS(complementary metal oxide semiconductor:互补金属氧化物半导体)器件的高速化也取得显著进展; 全文 »
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第八章 封装技术

1、封装技术简介:
a.封装的必要性:裸芯片与布线板实现微互联后,需要通过封装技术将其密封在塑料、玻璃、金属或陶瓷外壳中,以确保半导体集成电路芯片在各种恶劣条件下正常工作,狭义的封装(packaging)即指该工艺过程;
b.各种封装技术及其特征:
■单芯片封装的各种封装形式:
气密封装型—金属外壳封接型、玻璃封接型、钎焊封接型
非气密封装型—传递模注塑封装型、液态树脂封装型、树脂块封装型;
■MCM的各种封装法及其特征比较:
气密性封装(hermetic sealing)—低熔点玻璃封接法、钎焊封接法、缝焊封接法、激光熔焊法;
非气密性封装(nonhermetic sealing)—树脂封装法(注型法casting  涂布法coating  浸渍法dipping  滴灌法potting  流动浸渍法)
■评估封装特征及效果的项目:拆装返修性、耐湿性、耐热性、耐热冲击性、散热性、耐机械冲击性、外形形状尺寸的适应性、大型化、价格、环保特性;

2、非气密性树脂封装技术:
a.传递模注塑封技术:
■模注树脂成分及特性:填料filler约70%、环氧树脂约18%以下、固化剂约9%以下、此外还有触媒(固化促进剂)、耦合剂、脱模剂、阻燃剂、着色剂等添加剂,其总量一般控制在3%~7%;
■填充料及添加剂对模注树脂特性的影响:可加入的填充料有晶态SiO2,α-Al2O3、熔凝SiO2(非晶态SiO2或石英玻璃)。它们对热膨胀系数、耐焊性、耐裂纹性等均有很大的影响;
■传递模注装置、模具及传递模注工艺:基本工艺如下:插入并固定芯片框架—料饼投入—树脂注入、硬化—取出模注好的封装体—160~180度数小时高温加热使聚合完全;
■模注树脂流速及粘度对Au丝偏移(冲丝)的影响:封装树脂在型腔内流动会造成微互联Au丝的偏移,偏移量同封装树脂在型腔内的流速及封装树脂在型腔内粘度有关,为了减小冲丝现象,应降低树脂的粘度,并控制封装树脂尽量缓慢地在型腔内流动; 全文 »

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第二章 电子封装工程的演变与进展

本章将论述电子封装工程的演变与进展,从半导体集成电路的发展历史及最新进展入手,先讨论用户专用型ASIC(application specific integrated circuits)以及采用IP(intellectual property:知识产权)型芯片的系统LSI;再以MPU(micro processor unit)和DRAM为例,分析IC的集成度及设计标准(特征尺寸);从电子设备向便携型发展的趋势,分析高密度封装的必然性;分析电子封装的两次重大革命;最后讨论发展前景极好的MCM封装。

一、20世纪电子封装技术发展的回顾:
1、电子封装技术发展历程简介;
2、电子管安装时期(1900—1950年);
3、晶体管封装时期(1950—1960年);
4、元器件插装(THT)时期(1960—1975年);
5、表面贴装(SMT)时期(1975—);
6、高密度封装时期(20世纪90年代初—);

二、演变与进展的动力之一:从芯片的进步看
1、集成电路的发展历程和趋势:
a.集成电路技术的发展经历;
b.ASIC的种类及特征对比:GA(gate array)、单元型IC、嵌入阵列型、FPGA(field programmable gate array)、IP核心系统LSI(IPC-IC:intellectual property integrated circuits)、全用户型IC(FCIC: full custom integrated circuits)、MCM(multi chip module)
c.IP核心系统LSI与MCM
2、集成度与特征尺寸:
a.逻辑元件的集成度与特征尺寸;
b.储存器元件的集成度与特征尺寸;
3、MPU时钟频率的提高;
4、集成度与输入/输出(I/0)端子数;
5、芯片功耗与电子封装:
a.芯片功耗与电子封装的发展趋势;
b.MCM的发热密度与冷却技术的进展;
6、半导体集成电路的发展预测;

三、演变与进展的动力之二:从电子设备的发展看
小型、轻量、薄型、高性能是数字网络时代电子设备的发展趋势,从某种意义上讲,这也是一个跨国公司,甚至一个国家综合实力的体现。从便携电话、笔记本电脑、摄像一体型VTR的发展历程可窥一豹而知全貌。三大携带型电子产品,为了实现更加小型、轻量化,不断地更新换代所用的半导体器件,特别是采用新型微小封装,对于BGA、CSP、MCM等新封装器件,采用之快,用量之大,是绝大多数电子产品所无法比拟的。由于BGA、CSP、MCM的大量采用,促使封装基板的发展趋势是:向着三维立体布线的多层化方向发展、向着微细图形和微小导线间距方向发展、向着微小孔径方向发展、多层板向薄型化方向发展;

四、电子封装技术领域的两次重大变革 全文 »

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第一章 电子封装工程概述

一、电子封装工程的定义和范围、功能及分类:
1、定义:
a.“封装”这个词用于电子工程的历史并不久,在真空电子管时代,将电子管等器件安装在管座上构成电路设备一般称为“组装或装配”,当时并没有“封装”这一概念;
b.在半导体器件制作过程中,有前工程和后工程之分,二者以硅圆片wafer切分成芯片chip为界,在此之前为前工程,在此之后为后工程;
c.狭义的封装(packaging PKG)主要是在后工程中完成,并可定义为:利用膜技术及微细连接技术,将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接,引出接线端子,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺;
d.封装工程是指将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子机器设备,以确保整个系统综合性能的工程;
e.广义的电子封装应该是狭义的封装与实装工程及基板技术的总和,将半导体、电子器件所具有的电子的、物理的功能。转变为适用于机器或系统的形式,并使之为人类社会服务的科学与技术,统称为电子封装工程。

2、范围:
a.电子封装包括薄厚膜技术、基板技术、微细连接技术、封接及封装技术等四大基础技术,由此派生出各种各样的工艺问题。从材料上讲,电子封装要涉及到各种类型的材料,例如焊丝框架、焊剂焊料、金属超细粉、玻璃超细粉、陶瓷粉料、表面活性剂、有机粘结剂、有机溶剂、金属浆料、导电填料、感光树脂、热硬化树脂、聚酰亚胺薄膜、感光性浆料,还有导体、电阻、介质及各种功能用的薄膜厚膜材料等。从设计、评价、解析技术讲,涉及到膜特性、电气特性、热特性、结构特性及可靠性等方面的分析、评价与检测;
b.以超级计算机和ISDN为例,构成整个电子设备包括6个层次,其中层次1为0级封装,层次2为1级封装,层次3为2级封装,层次4、5、6为3级封装; 全文 »

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《电子封装工程》—田民波编著

在上一篇日志中提到本年度打算学习的最后一本专业书籍《环氧树脂入门》,这个是和胶水相关的,今日介绍这本叫《电子封装工程》,是和电子相关的,也是我最后一本系统性的学习电子封装的专业书籍了!

此书作者田民波教授本人与其有过几天的面对面的交流,关于田教授的介绍请参看此处http://bbs.coatingdata.com/showtopic-1345.aspx。与田教授交流中印象比较深刻的几点是关于材料科学,八九十年代学材料和搞材料研究的人才基本都聚集在钢铁等行业,很多人去了钢铁厂等大型企业,而对于电子基础材料当时国家高层的决策也是从国外直接引进就好了,这也形成了今天为什么中国在一些基础行业的材料可以达到国外的先进水平,而对于像硅晶片,封装材料,焊接材料包括我们经常所说的电子胶水,目前国内还是处于比较低端的水平。以硅晶片为例,国内近期进入此行业的企业很多(主要是中国Si元素资源比较丰富),然而真正能运用到电子产品的不多,绝大多数都是用于太阳能光伏等产业。说得简单一些,目前中国电脑CPU一直未能取得突破性进展,只怕也是材料制造技术的共同限制的。所以田教授也认为电子材料行业是一个很有前景的行业,但国内企业要在这行做好,也是任重道远的,呵呵! 全文 »

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