1、基础部分：
a.聚合物的定义：聚合物是由大量称之为单体的小分子连在一起形成的大分子，把这些单体连在一起所涉及的工艺称之为聚合，长分子链包括氧、氢、氮、碳、硅、氯、氟和硫等；
b.聚合物的类型：
■加聚物和缩聚物；
■线型、支化、晶体、非晶体、液晶共聚物、橡胶及聚合物合金；
■橡胶、热固性、热固性
c. 合成方式:本体聚合（MWD较宽）、溶液聚合、乳液聚合（MWD较窄）、悬浮聚合（MWD相对窄）。 MWD-分子量分布；
d.相关术语：
■塑料术语：B阶、NEMA标准、pH值、包封、表面电阻率、玻璃化转化点、薄膜粘接剂、储存寿命、触变、促进剂、催化剂、弹性模量、弹性体、低温流动（蠕变）、电容、电阻率、放热反应、放热曲线、工作寿命、功率因子、固化剂、固化时间、固化、灌注、化合物、加速剂、交联、介电常数（介电系数或电容率）、介电功率因子、介电强度、介电损耗角（介质相差）、介电损耗因子（介电损耗指数）、介电损耗、介电系数、介电相角、浸渍、晶态熔点、聚合、聚合物、绝缘电阻、抗弯模量、抗弯强度、老化、硫化、洛氏硬度、埋置、模塑、耐潮性、耐电弧性、耐电强度（介电强度或击穿强度）、粘度、凝胶、膨胀系数、起泡剂、热变形点、热导率、热封、热固性树脂、热熔粘接剂、热塑性树脂、溶剂、润湿、邵氏硬度、适用期、树脂、水解、塑料、损耗因子（损耗正切、近似功率因子）、碳氟化合物、体积电阻率（比绝缘电阻）、填料、烃、涂覆、维卡软化温度、吸湿、吸水率、橡胶、抑制剂、应变、应力、硬化剂、有机物、增韧剂、增塑剂、粘接剂、粘结强度、直接粘接、注塑；
■电绝缘性能术语：介电强度（数值越高绝缘性越好）、电阻和电阻率（数值越高绝缘性越好）、介电常数（对高频或功率用途，较低的介电常数最好）、功率因子和损耗因子（数值越低越好，表明系统的效率高，损耗小）、耐电弧性（越高越好）、相对击穿指数（CTI）； 全文 »

1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋转的荷负电的电子组成（Neils Bohr于1913年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键；
2、真空管（电子管）：
a.真空管问世于1883年Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903年英格兰的J.A.Fleming发现了真空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极；
b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906年美国发明家Lee DeForest在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能；
c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使用中退出；
3、半导体理论：
a.在IC芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）；
b.二极管（一个p-n结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止；
c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的p-n结组合成一个器件，导致了晶体管的出现，晶体管是一种能够放大信号或每秒开关电流几十亿次的器件。最初的器件使用点接触穿入鍺半导体本体，随后的晶体管使用鍺作为半导体的结（双极）型晶体管，鍺这种半导体材料后来被硅所代替；（基极B  发射极E  集电极C） 全文 »

书名:电子封装材料与工艺(原著第3版)/电子封装技术丛书
《ELECTRONIC MATERIALS AND PROCESS HANDBOOK》
ISBN:750257979
作者:(美)查尔斯A.哈珀 CHARLES A.HARPER
出版社:化学工业出版社

内容提要

日前中国已成为世界第三大电子信息产品的制造国，众多世界著名电子公司的大量一级、二级封装正在转入我国生产。了解电子封装的新理论、新材料和新工艺已经成为电子工业相关工作者的迫切要求。《电子封装材料与工艺-(原著第三版)-电子封装技术丛书》译自美国McGraw-Hill公司2004年出版《ElectronicMaterials nd Processes Handbook》 (第3版)，汇集了国际上近几年最新的电子封装材料与工艺。
《电子封装材料与工艺-(原著第三版)-电子封装技术丛书》由工作在电子封装第一线的各方面专家编写,内容涉及电子封装及相关领域的材料与工艺,包括半导体、塑料、橡胶、复合材料、陶瓷和玻璃以及金属等各种材料，也包括电子封装和组装的软钎焊、电镀与沉积金属涂层、印制电路板制造、混合微电路与多芯片模块的材料和工艺、电子组件中的粘接剂、下填料和涂层以及热管理材料及系统等各种工艺技术，较充分反映了当前电子封装各方面的先进材料与工艺，不仅理论分析充分，而且有丰富的实践经验总结，是关于电子封装材料和工艺的较为全面而实用的工具书。为便于读者查阅，书后附有术语索引，并配有英文对照，以便于对专业术语的规范和理解。《电子封装材料与工艺-(原著第三版)-电子封装技术丛书》对从事电子封装及相关行业的科研、生产、应用工作者都会有较高的使用价值，对高等院校相关专业的师生也具有一定的参考价值

目录

第1章集成电路芯片的发展与制造
11简介
12原子结构
13真空管
14半导体理论
141二极管
142结型双极晶体管
143场效应晶体管
144结型场效应晶体管
145金属氧化物半导体场效应晶体管
146互补型金属氧化物半导体场效应晶体管
15集成电路基础
16集成电路芯片制造
161晶锭的生长与晶圆片的制备
162洁净度
163集成电路制造
参考文献
第2章塑料、橡胶和复合材料 全文 »