大声
【扒一扒】日本高纯球形硅微粉材料生产商
—— anndi

《【扒一扒】日本高纯球形硅微粉材料生产商》:  作为一种无机非金属矿物功能性粉体材料,硅微粉广泛应用于电子材料、电工绝缘材料、胶黏剂、特种陶瓷、精密铸造、油漆涂料、油墨、硅橡胶等领域。 目前,世界上只有中国、日本、韩国、美国等少数国家具备硅微粉生产能力... 全文 ?

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日本施敏打硬Super X No 8008

今天有位同事咨询到日本施敏打印8008型号的产品,上网略查了一下,该品牌英文名应该是cemedine,但中文音译就有好多了,呵呵!像施敏打印、施敏打硬、施敏打等等,其官网地址为https://www.cemedine.co.jp/,但是没有中文版,所以中文音译也就没有官方版本了,呵呵。 不过这款产品应用还是蛮广泛的,好像在蓝牙耳机及数码相机组装上都有用到,后来咨询了一下美国赫能HERNON公司是否有对应的产品,他的们回复是“We do not have a product like this one. Is a very inexpensive polyurethane product that many companies make”。其实从技术层面应该不是太难的产品,只是在某些领域已经普遍接受使用了。我在网上查到的一个价格是85元/支,也不知道是多大包装,应该不算贵也不算便宜的。大概看了一下技术资料这个是靠湿气或者压力固化的,有点压敏胶的性质。官网上有对应的技术介绍页面,大家可以前往查看:https://www.cemedine.co.jp/e/product/super_x.html。

或者大家可以下载本站的PDF文件查看之:

华为网盘下载:http://dl.dbank.com/c0x0b3rhi4

  Cemedine Super-X 8008 (232.6 KB, 446 次)

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《电子封装工程》笔记

《电子封装工程》—田民波编著

第一章 电子封装工程概述

第二章 电子封装工程的演变与进展

第三章 薄膜材料与工艺

第四章 厚膜材料与工艺

第五章 基板技术Ⅰ—有机基板

第六章 基板技术Ⅱ—陶瓷基板

第七章 微互联技术

第八章 封装技术

第九章 BGA与CSP

第十章 电子封装的分析、评价及设计

第十一章 超高密度封装的应用和发展

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还是有关太阳能铝浆

一写到太阳能铝浆,总会想到谭老师,铝浆的鼻祖,是他打开了一个年销售近20亿的铝浆市场,可巨大的蛋糕于他却分得很少很少,总让人唏嘘。
铝浆从01年开始正好10年了,一个轮回,期间造就了一个江湖大佬,一个行业的标杆,一个财富的神话。当然也有不少割据一方的诸侯也都发了财,可无人能与那个大佬相比,如今它就要在创业板上上市了,圈到钱了不知他又会有什么大手笔。
铝浆是一个真正将国外产品拒之国门之外的浆料产品,也是一个真正大批量的产品,就哪个大佬他一年近3000吨的产量恐怕D也要退居第二了。对于大佬的成功我一直在思考,为什么一直搞传统浆料的人没有做出一个真正成功拒国外产品,而是那个大佬,尽管起步是源于谭老师,尽管到他们的许多思路仍在谭老师的框架内,可它毕竟把它批量化了,而且量是相当的大,稳定的批量工艺本身就是一种技术。常州的那两个搞三辊机的厂家也得益于那个大佬,因为配合大佬他们制造出了全自动的三辊轧机,设备的升级本身就是对产业的一种贡献。所以,不管怎样,那个大佬对产业是有贡献的。
对于大佬的成功,我原来很大程度上认为是得益于国内的铝粉原料是优于国外的,因为铝粉基本就国内生产,国外基本是不生产的,而且生产的是空气雾化的,形貌一塌糊涂,所以从铝粉的角度探讨大佬的成功某种程度上市对它技术的否定,可最近沉淀下来,却发现那个大佬在技术层面确实是比较厉害的,它确实有许多创新的,许多是行业内的人无法突破的。
国外的大佬们太教条,总认为自己的理论技术高超,觉得自己的料了不起,可铝浆确实有其独特的原理,所以他们那一套在传统浆料领域内强大的技术能力在铝浆面前却不灵了,从尚德到目前为止只用大佬的铝浆就知道了。就象老谭说的,F在尚德做了70多次可笑的实验。
大佬的技术在尚德的成功很大程度来源于对附着力的突破,这点我是深深佩服的,因为它突破了大家熟知的对附着力的认识,即玻璃、氧化物的层面,或者说它属于氧化物层面,但它的确又突破了氧化物层面,而且对其他传统浆料提高附着力来说具有通用性,这是它对产业技术的一个贡献。
对于铝浆大佬真正掌握了核心,而国内大家所看到的那些割据一方的诸侯们,大家似乎反馈他们的铝浆从电性能上是好于大佬的,可实际看看他们的浆料,大多数都停留在用高固含量和高细粉量来提高性能,对于这点任何初学者都可以做到,可实际是细粉越来越难得,你怎么上量,而且接下来片子单晶要到150X150,多晶要到180X180,你的翘曲问题怎么解决。而这却是大佬最拿手的,它是真正掌握核心的,任何小于10微米的粉它都可灵活调配的。以前你只要和铝粉厂家关系好,可基本得到大佬买的粉的配比的,可现在大佬厉害了,它和厂家都签了保密协议,你是得不到了。
可这个真正的核心是什么呢,那就是密堆积原理,到目前为止可见的资料里,只有西安交大的马亚红在一篇论文里提到过,其它都是言左右而不及核心的。所以要想搞铝浆的朋友建议大家都好好研究研究密堆积原理,好好研究Andreasen方程,好好研究铝粉颗粒级配。这个研究清楚了,那你对铝浆通了,其它浆料也一通百通的,因为这个原理可以用于任何浆料的。有些朋友可能已经意识到了,那就是正银,不就是要高振实高堆积的银粉么,这个原理这个方程正好。
所以,大家不要碰运气的去试配比,当然有些朋友可设计合理的正交试验得出配比,可我觉得实际是可以用密堆积原理用Andreasen方程计算出合理配比的,这样我们在用试验修正,这样你就会有一个合理铝粉配比模型的,有了这个模型你将受用无穷,因为你也可以和那个大佬一样了,你也可以对任何铝粉进行配比了。
由此,你就真正掌握了核心。
任何事情都是一样的,只有你真正掌握了核心,别人就很难打败你了。
看看那个大佬,到现在谁能挑战它呢??!!!

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有关自制太阳能铝浆实验室测试装置

现在太阳能铝浆凡是知道的人都想做了,基本上已到了顶峰,那接下来只能是惨烈竞争了,所以慎之。
而已经在做的许多人都在困惑一个问题,那就是测试,没有强硬的关系谁也不愿意做白老鼠的。所以儒兴之类的先入市场的大佬在测试上给后来者形成了壁垒。
但既然是实验,那测试本身也是一种实验,所以我们也可以自己设计。因为我们并不一定特别需要绝对如测试线的数值,而只是需要一个相对测试线上的相对值来判断我们浆料的好坏而已,这样我们就可以发挥自己的主观能动性了。
下面提到的测试方法是我和我的朋友集体创作的,我就代表他们贴出来和大家共享,对大家有用了,请也记得他们。
首先对于铝粉活性的判断,大家都看重厂家提供含氧量这个值,可这并不能体现氧在里面的分布,也就判断不了真正的活性了。东莞的李总就有一个很简单实用的方法,那就是将买来铝粉放在口杯里加水,看其与水的反应放出氢气的快慢来判断活性,即快的活性高。这是个很实用的方法,从它基本可判断出一个铝粉的活性,同时也对后面玻璃粉含量的多少指出了方向。
对于大家头疼的电性测试的问题,我想我们要抓住重点,那就是对于铝浆的定性的指标是接触电阻和开路电压,特别是开路电压厂家很看重,它基本定性了一个铝浆的好坏,也就是说我们要定性知道这两个数值了。
对于接触电阻,我们可借鉴传统浆料方阻的概念来定性知道接触电阻,即用厂家生产线的浆料做标准印刷蛇形图案,得到标准方阻,同时印刷自己的浆料测试方阻比较可基本确定接触电阻的大小。
对于模拟生产线的烧结曲线,前提我们能拿到厂家印刷好正银和背银的片子,然后印刷自己的铝浆和生产线的铝浆在马佛炉里快速烧结,就是用一个钢网托盘盛放片子,然后用夹子夹住,快速伸入炉内,炉温和生产线的烧结最高温度相同,在高温区内保留5-10秒,快速拿出,这样就基本模拟了生产线。
对于另一个比较难的开路电压,我们同样可以设计一个简单的测试装置。对于烧结好的片子,用一个带开关白炽电灯,固定好片子和电灯的距离,注意设计一个夹具使片子正面垂直白炽电灯,用万用表的电压档通过夹具连接电池正银和背银,然后快速开关电灯,读取电灯开的一瞬间的电压值即定性的开路电压。本人试的是大概在580-600mv,基本可定性比较铝浆和生产线上正用铝浆的优劣,再在里面串联一个在电流档的万用表可同时测出短路电流。

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太阳能铝浆资料(三)——有关吸杂

    铝背场的建立,不但增加了电池开路电压的数值,还实现了铝吸杂的过程,在不同程度上对硅芯片中的重金属、碱金属、非金属杂质进行了有效的吸附作用,减少了载流子的复合中心,提高了有效少数载流子的寿命和电池的效率。
    重金属杂质通常指元素周期表中的副族及过渡元素。在太阳电池中主要有Fe、Co、Ni、Cu、Au等。这些重金属杂质,由于其半径较硅大的多,因此,在硅中易引起较大的晶格畸变,且扩散系数较大,在高温条件下,由于晶格畸变应力场及金属杂质引入的点阵畸变应力场的相互作用,使这些金属杂质容易在晶格畸变区发生聚集,造成在位错、层错上的沉淀,形成杂质管道,造成p-n结的低击穿。
    硅中所含的碱金属杂质主要指Na、Li、K。因为它们的原子外层只有一个电子,所用较容易失去电子而成为可动正离子。通常,它们主要位于Si-SiO2系统,一般LiK来源少,且K的原子半径较大,迁移难,Na则是工艺中常见的有害的碱金属杂质。它们往往是在器件制造工艺中引进的。这些可动正电荷通常出现在Si-SiO2界面(其中尤以Na的玷污影响最大),它们会增加反向漏电流,对硅太阳电池芯片的光伏转换效率影响很大。

    一般的太阳电池生产工艺,是通过制作铝背场来形成吸杂中心,产生吸杂作用。原理是利用铝原子与硅原子结构上的差异,将其扩散到硅片背面引起失配位错,因而形成应力吸杂中心。不同类型的硅材料,最佳铝背场烧温度曲线各不相同。
    一般来讲,吸杂将有害杂质从硅中有源区和带入体内缺陷密接区域或杂质溶解度较大的区域吸除,杂质必须经过三个步骤:从原始或非理想状态中释放;在晶体中扩散;被杂质中心捕获。
    捕获的杂质的机制不同,可以分为两大类:分凝和应力释放机制。在应力释放过程中,不同成份的沉淀与形核中心在远离有源区的地方同时形成。吸杂过程伴随者类似与从高温冷却时产生的杂质元素的过饱和度。分凝机制利用杂质原子溶解度较高的区域使溶解度较低区域的杂质游离。在太阳电池的有效工作区外,分凝机制的杂质效果优于应力释放吸杂效果,不需要过饱和度。原则上讲,杂质扩散较快的温度下有源区杂质含量可以较低。硅太阳电池的工作区通常为整个硅衬底的厚度,所以分凝杂质在正表面和背表面都比较适合。硅太阳电池铝背场的建立实现了铝吸杂的过程,因此是芯片制作工艺中至关重要的一环。
    铝吸杂的过程可以解释如下:在烧结工艺中,当温度高于577℃的时候,铝硅合金就会溶解,许多金属如铁、铜、金等在很大温度范围内,不论是在液态还是固态的铝中溶解度都是110at.%,同时在硅中的溶解度很低。例如,在750950℃温度区间内,铁在铝、硅中的分凝系数为105106。另外,铝扩散到硅中可以形成p层,发生背场效应,可以反射电子或避免背表面复合以及见解加速氢原子的产生而起到缺陷钝化的效果。

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太阳能铝浆资料(二)——有关降低背表复合速度

提高光电转换效率也可以通过减小背表面的复合速度,如优化太阳电池铝浆。在同样的电池加工工艺条件和硅原材料的前提下,好的铝浆同样可以使得硅太阳电池转换效率提高几个百分点。

 减小背表面的复合速度对于硅太阳电池来说,可以引进一个背表面场或高低结,这个区域把背表面的复合速度变成了背表面的有效复合速度Seff。在目前的商业化生产上,一般通过对太阳电池背面印刷烧结铝浆来实现的。即可作为电极输出,又可通过烧结工艺引入铝硅合金作为铝背场(Al-BSF),以形成一个高低结p-p+

采用铝来作背场,而不采用硼进行扩散,是因为铝可以与硅在温度超过铝的熔点温度660℃后,在非常短的时间内形成一个高低结。用硼进行扩散形成一个较深的p+层,需要在高温(1000℃)下扩散大约1小时,而用铝在短短的几分钟内就可以完成。

铝浆通过丝网印刷方法沉积到电池的背面,在高温烧结过程中,铝和硅形成共晶合金,如果烧结温度高于800℃,铝在硅内的掺杂浓度会高达6×1018m3,而硅片衬底的掺杂浓度只在2×1016/cm3左右,从而在铝背场和衬底之间形成高/低结,有效地阻止了少数载流子向电池的背面扩散,降低了电池背表面的复合速率.铝背场可将电池背面的复合速率降低到200ems以下。

由此可见,铝背场的形成有助于降低电池背表面的复合速度,提高长波光谱响应,提高太阳电池的光伏转换效率

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Hysol(IK INABATA)HL2002技术资料

今天在论坛有位站友咨询到“有Hysol的HL2002资料吗?谢谢”,参看http://www.r4e.cn/bbs/thread-11621-1-1.html。先上汉高乐泰的官网TDS查询页面找了一下,没有找到对应的技术资料。开始还以为是hysol新推的产品,而且这类命名的型号以前还没见过类似的,觉得有些奇怪。 后来又重新搜索了一下,找到了如下一份资料。 发现此品牌有另一个叫法,叫做IK INABATA,在网上细查了一下,原来这是一家日本公司,中文名叫“日本稻畑”,网址为http://www.inabata.co.jp/。这是一家历史比较悠久的日本公司,包括和日本住友等公司都有合作。 联想到HYSOL被乐泰收购以前也是日本公司,或者这家公司和IK INABATA也有着相应的联系。
回到这型号的产品,HL2002是“一种透明水状的环氧树脂封装材料,它适用于封装OPTO电子显示器,显示灯和LED晶片。该产品具有粘度低,使用时间长,热冲击好的特点,并且看上去该产品特别清晰。 通过向标准透明色的HL2002中添加扩散剂,HL2002可制成几种不同的透明度“。从这个来看此产品适用于LED封装的环氧树脂AB胶,记得前两年了解中低功率LED封装树脂时以惠利公司的为主,其中相对高端一点的有台湾华稻公司的(原来这家公司和日本稻畑公司就有这直接的关系)。看来此产品也是类似用途的哦。不过为什么此产品能继续沿用HYSOL牌号就不的而知了。 这也是为什么第一反应会去汉高乐泰官网上找资料了。后来在一个光电论坛找到了对应的TDS资料,大家有兴趣的话可以下载查看一下:

华为网盘下载:http://dl.dbank.com/c0roejyp7t

点击下载:

  Hysol(IK INABATA)HL2002 TDS资料 (165.6 KB, 431 次)

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Hysol 3500 Underfill TDS

近日又了解到汉高旗下的一款底填胶的型号Hysol 3500,以前汉高的底填材料一般都是以乐泰品牌出现的,不知这款为何延用了Hysol的品牌,从TDS发布的时间来看是2009年2月份,也应该是在3548等的后面,与UF3800类似的时间推出的,这也是一款低粘度的产品,从TDS看与UF3800比较类似,一个特点是可以快速固化,固化条件是130度2分钟,另外它的Tg点也非常低,只有16度,其它的与传统underfill貌似差不多。摘录部分TDS中说明如下:

PRODUCT DESCRIPTION
3500™ provides the following product characteristics:
Technology Epoxy
Appearance Black
Cure Heat cure
Product Benefits • Snap curable
• Fast flow without substrate pre-heat
• Low temperature cure
• Dissipates stress on solder joints
• Reworkable
Application Underfill
Typical Assembly Applications Reworkable CSP/BGA

华为网盘下载:http://dl.dbank.com/c0lmy9amao

点击啊下载TDS资料:

  HYSOL 3500 UNDERFILL (66.5 KB, 192 次)

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LOCTITE 348 SMT贴片红胶TDS

今日有位同事向我咨询乐泰348胶水,初听上去以为是乐泰传统工业胶水,但同事很坚定的说是用于SMT贴片的红胶,我印象中乐泰的SMT贴片红胶都是四位数加字母为型号的,常见的如3609、3611、3619等等。后来翻墙下载了一份LOCTITE 348的TDS资料查阅了一下,果然是用于SMT的贴片胶水,以前还真没留意过,大概看了一下,此产品资料是2008年10月份推出的,与乐泰以前类似的胶水差别不大,里面有提到一个指标“Fluorescence:Positive under UV light”,用google translate翻译了一下:“荧光:在紫外光下正”,这个好像传统红胶没有提到的,估计也是有特殊的用途吧!

下面摘录部分乐泰348的技术参数资料,大家也可以下载附件查看之:
PRODUCT DESCRIPTION
LOCTITE® 348™ provides the following product characteristics:
Technology Epoxy
Chemical Type Epoxy
Appearance (uncured) Red high viscosity gelLMS
Components One component – requires no mixing
Fluorescence Positive under UV light
Cure Heat cure
Application Surface mount adhesive
Key Substrates SMD components to PCB
Other Application Areas Small parts bonding
Dispense Method Syringe
Dispense Speed Medium 15,000 -25,000 dots/h
Wet Strength High

LOCTITE® 348™ is designed for the bonding of surface mounted devices to printed circuit boards prior to wave soldering. Particularly suited for applications where medium to high dispense speeds, high dot profile, high wet strength and good electrical characteristics are required.

华为网盘下载:http://dl.dbank.com/c08obwzpb9

附件下载:

  loctite 348 TDS (65.5 KB, 132 次)

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有关太阳能铝浆的一些资料

基于自己这几年对太阳能电池铝浆的研究,现把自己对铝浆的微观机理的一些思索分批帖出和大家分享,共同讨论,进步!
其中有许多公式,不知直接帖出来是否能正确显示,我也将同时上传附件,方便大家下载共享。

欧姆接触理论在硅太阳电池上的应用根据欧姆接触形成条件,当金属和半导体接触时,金属和P型半导体接触时P型半导体的逸出功Ws小于金属的逸出功Wm便在P型半导体表面附近形成空穴的积累层,从而表现出高导电、无整流的特性这种接触由于不存在表面势垒,其接触电阻很小,可作为半导体和金属电极之间的欧姆接触
因此,对于P型硅太阳电池衬底,应该选择功函数大的金属与半导体形成接触,即满足Wm>Ws,使金属与半导体之间形成P型反阻挡层。

 但是,在晶体硅太阳电池的研制中,考虑到Si材料有很高的表面态密度,无论是n型材料还是p型材料与金属接触都会形成势垒,不会形成欧姆接触。因此,实际生产中,主要依靠隧道效应的原理在半导体上形成欧姆接触。

  表征欧姆接触电阻大小是用接触电阻ρc,对于热电子场发射机理输运下,其表达式如下:

其中,A= ,单位为A/cm2K2

—在这里指半导体有效质量,对于p型Si半导体,指其空穴有效质量。由接触电阻计算公式可以看出,欧姆接触电阻与紧接接触层下的半导体层中载流子浓度有强烈的依赖关系,此外它与半导体材料中电子或空穴的有效质量和接触的势垒高度等有关。

重掺杂浓度很高,则势垒区宽度变得很薄,电子要通过隧道效应贯穿势垒,产生相当大的隧道电流,甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时,它的接触电阻可以很小,可以用作欧姆接触。因此,半导体重掺杂时,它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。

实际生产中,制作欧姆接触最常用的方法是用重掺杂的半导体与金属接触,常常是在n型或P型半导体上制备一层重掺杂区后再与金属接触。形成金属与半导体接触的方法也有多种,如蒸发、溅射、电镀等。

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