笔记
记录站长学习专业书籍(纸质版)后整理的笔记
1、胶粘接头的强度和适用性主要源于胶黏剂和被粘分子间的相互作用力,两种粘接物体之间在原子尺度上的相互作用力能够产生搞的粘结强度;
2、粘结强度的理论值与测定值之间缺乏统一性的原因在于,获得高的粘接强...
1、半导体器件的生成:电阻器、电容器、二极管、晶体管、熔断器、导体;
2、电阻器:掺杂型电阻器、EPI电阻器、Pinch电阻器、薄膜电阻器;
3、电容器:氧化硅电容器、结电容器、沟槽电容器、堆叠电容器(stacke...
1、制造和工厂经济:
尽管有在工艺、成本以及市场方面的诸多变化,衡量芯片制造领域的财政状况的方法依然相同:即对于芯片厂售出的有功能的芯片,每片的成本如何(the cost per functioning die shipped out of ...
1、从工艺控制和改进的观点来看,关于测量的收集分为三大类:一是包括对测试晶圆和实际器件电性的测量;二是直接测量某些物理参数例如层的厚度、宽度、组成等等;三是测量晶圆和材料内部的污染;
2、晶圆的电性...
1、虽然掺杂的区域和PN结形成电路中的有源元件,但是需要各种其它的半导体、绝缘介质和导电层完成器件/电路的电器性能,其中的一些是通过化学气相淀积CVD和物理气相淀积PVD的方式淀积在晶圆的表面;常规的淀积层...
1、结的定义:结(junction)就是富含电子区域(N型区)与富含空穴区域(P型区)的分界处,具体位置就是电子浓度和空穴浓度相同的地方,靠热扩散或离子注入可形成结;
2、掺杂区和结的扩散形成:
a.扩散:是一...
书名:聚合物的粘接作用
ISBN:7502558187
作者: 乌克兰 法西罗夫斯基 Veselovsky Roman A. 著
出版社:北京 : 化学工业出版社
年份:2004
页数和开本: 295页 ; 23cm
丛编项:国外胶黏剂丛书
题名:Adhe...
1、ULSI/VLSI集成电路图形处理过程中存在的问题:
光学曝光设备的物理局限、光刻胶分辨率的限制、许多与晶片表面有关的问题;
使用光学光刻技术解析0.5微米和0.3微米的图形需要对虚像(aerial images)有很好的...
1、显影:通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影,显影技术被设计成使之把完全一样的掩膜版图案复制到光刻胶上。
a.负光刻胶显影:二甲苯或stoddart溶剂显影,n-丁基醋酸盐冲洗;
b.正光刻胶显影:碱(氢氧...
1、光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域的基本操作(Photolithography、Photo masking、Masking、Oxide、Metal Removal-OR,MR、Microlithography)
分辨率-resolution 特征图形尺寸-feature siz...