提高光电转换效率也可以通过减小背表面的复合速度,如优化太阳电池铝浆。在同样的电池加工工艺条件和硅原材料的前提下,好的铝浆同样可以使得硅太阳电池转换效率提高几个百分点。
减小背表面的复合速度对于硅太阳电池来说,可以引进一个背表面场或高低结,这个区域把背表面的复合速度变成了背表面的有效复合速度Seff。在目前的商业化生产上,一般通过对太阳电池背面印刷烧结铝浆来实现的。即可作为电极输出,又可通过烧结工艺引入铝–硅合金作为铝背场(Al-BSF),以形成一个高低结p-p+。
采用铝来作背场,而不采用硼进行扩散,是因为铝可以与硅在温度超过铝的熔点温度660℃后,在非常短的时间内形成一个高低结。用硼进行扩散形成一个较深的p+层,需要在高温(1000℃)下扩散大约1小时,而用铝在短短的几分钟内就可以完成。
铝浆通过丝网印刷方法沉积到电池的背面,在高温烧结过程中,铝和硅形成共晶合金,如果烧结温度高于800℃,铝在硅内的掺杂浓度会高达6×1018m3,而硅片衬底的掺杂浓度只在2×1016/cm3左右,从而在铝背场和衬底之间形成高/低结,有效地阻止了少数载流子向电池的背面扩散,降低了电池背表面的复合速率.铝背场可将电池背面的复合速率降低到200em/s以下。
由此可见,铝背场的形成有助于降低电池背表面的复合速度,提高长波光谱响应,提高太阳电池的光伏转换效率。
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